全球终端市场仍未全面复苏，半导体产业竞争态势日趋激烈，与此同时AI驱动半导体产业需求提升、技术升级，这一背景下，厂商正加速半导体先进制程与先进封装等技术突围。近期市场传出新进展：英特尔18A制程进入风险生产阶段；Rapidus计划推出2纳米芯片样品；三星加速推进2nm工艺研发；台积电先进制程、先进封装齐发力。

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英特尔18A制程进入风险生产阶段

在近期的Intel Vision 2025大会上，英特尔正式宣布其18A制程技术已经进入风险生产阶段。随着18A制程的推进，英特尔即将推出的新一代处理器“Panther Lake”预计在今年开始量产。

业界透露，“风险生产”指在正式大规模量产之前的一个重要阶段，晶圆厂会开始小批量试生产采用新制程的芯片，目的是验证制程的稳定性、良率以及设计规则的正确性，为后续的大规模量产打下坚实的基础。风险生产到最终的成熟量产还有一段路要走，期间可能会遇到一些问题，但能够走到这一步，已经足以证明英特尔在先进制程技术上的实力和决心。

资料显示，英特尔18A制程最大的亮点在于采用了两项突破性的技术：RibbonFET和PowerVia。

RibbonFET是一种全新的晶体管结构，也被称为Gate-All-Around(GAA)技术。相较于传统的FinFET（鳍式场效应晶体管），RibbonFET将通道材料包裹在闸极的四个侧面，就像一条条纳米级的「缎带」。这种设计能够更有效地控制电流的开关，减少漏电，并在更小的空间内实现更高的性能和能效。可以说，这是晶体管结构上的一次重大革新，为未来更微小的制程节点铺平了道路。

PowerVia则着眼于芯片的供电方式。传统上，电源和讯号的互连都是在芯片的同一侧进行，这可能会导致讯号拥塞和电压下降。PowerVia则将电源互连转移到芯片的背面，透过直接连接的方式为晶体管供电。这样一来，正面的空间可以完全用于讯号布线，从而提高讯号传输效率，降低功耗，并提升整体性能。

英特尔透露，与Intel3制程相比，18A制程的每瓦性能将提升高达15%，芯片密度将提高30%。这些显著的改进将直接转化为英特尔在各种产品领域的竞争优势。

业界指出，英特尔的18A制程在技术上与台积电的N2（2纳米级）制程相当。英特尔的18A制程可能在性能方面更具优势，而台积电的N2制程则可能提供更高的晶体管密度。英特尔的PowerVia背面供电技术是其独特的优势，台积电预计要到更晚的A16制程（2026-2027年）才会采用类似技术。

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Rapidus计划推出2纳米芯片样品

4月1日，日本半导体公司Rapidus宣布，2025财年计划和预算已获日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）批准，将于4月启动2纳米芯片试制生产线，目标2027年量产。

业界指出，2纳米是目前最先进的半导体制造工艺之一，如果Rapidus能够成功推出并量产2纳米芯片，将标志着日本在半导体制造技术上取得了重大突破，缩小了与台积电、三星等领先企业的差距。

Rapidus计划推出2纳米芯片样品无疑是日本半导体复苏进程中的一个重要里程碑，展现了其重振雄风的决心和潜力。

但要指出的是，推出样品和实现大规模量产之间存在巨大的差距，Rapidus和日本半导体产业仍然面临技术、资金和供应链等多重挑战。

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三星加速推进2nm工艺研发

三星在3nm工艺节点上遭遇一些挫折，但并不影响其持续发力先进制程的决心。

最新消息显示，三星即将量产全球首款2nm芯片：Exynos 2600，计划在2025年5月进入原型量产阶段。明年年初发布的三星Galaxy S26系列，将成为首款搭载该芯片的机型。

Exynos 2600基于三星SF2工艺制造，这是三星第一代2nm制程，相较于3nm工艺，SF2在相同计算频率和复杂度下可降低25%的功耗，同时提高12%的计算性能，并减少5%的芯片面积。

良率方面，据悉目前Exynos 2600良品率为30%，但随着量产进程的推进，良率有望持续上升。与此同时，三星也要在保持高性能的同时严格控制功耗。

除了上述产品外，三星未来还规划了包括SF2P、SF2X、SF2Z和SF2A等在内的多个节点，面向高性能计算、人工智能和汽车应用。

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台积电先进制程、先进封装齐发力

3月31日，台积电于高雄厂区（Fab 22）举行“2纳米扩产典礼”，宣告二期（P2）厂房上梁仪式后完成结构体工程。

台积电执行副总暨共同营运长秦永沛表示，高雄加上台南厂区将成为”全球最大的半导体制造服务聚落”，2纳米制程并依计划进展良好，2025年下半年将进入量产。相较3纳米技术，台积电2纳米在相同功耗下速度提升了10%～15%；相同速度下功耗降低了25%～30%。

目前高雄厂区共规划五期厂房，工程进度如期，第一期（P1）厂房已进行装机；第二期厂房上梁仪式后，正式完成结构体工程；第三期（P3）厂房已开始展开结构体工程；第四期（P4）及第五期（P5）厂房亦于本月通过环评审查。

为满足高性能芯片市场需求，台积电积极布局先进制程与先进封装产能。近期，台积电位于台湾地区南部科学园区的先进封装AP8厂举行了扩厂典礼 。此次扩厂的主要目的是提升先进封装产能，特别是针对CoWoS技术 。

AP8厂是台积电目前最大的先进封装厂，其无尘室面积接近10万平方公尺。为了满足AI客户对先进封装CoWoS产能的迫切需求，台积电正积极改造该厂，并动员多家供应链厂商参与设备进机 。设备安装预计最早于2025年4月开始，并可能在下半年开始量产 。

根据TrendForce集邦咨询的预估，包含AP8厂、先前收购自群创的厂房以及台中厂的产能，台积电2025年的CoWoS月产能有望达到创纪录的7.5万片晶圆，几乎是2024年的两倍 。

除了台积电之外，包括英特尔和三星在内的其他主要厂商也在大力投资先进封装技术，以提供整合的解决方案 。英特尔的EMIB和Foveros技术，以及三星的I-Cube和X-Cube技术，都旨在与台积电的CoWoS技术竞争。这也意味着，AI时代下半导体市场的竞争不只有先进制程，先进封装也是一大看点，厂商的布局值得关注。

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